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射频晶体管

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MMRF1009HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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数量单价合计
50
¥3,714.6716
185733.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
零件号别名
935318134178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:36119
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥427.0044
参考库存:36124
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:27915
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:2367
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
参考库存:2919
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