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射频晶体管
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MRF9045LR1

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18.8 dB
输出功率
60 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
945 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
正向跨导 - 最小值
3 S
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥878.2021
参考库存:39962
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5255
参考库存:24853
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
250:¥2,165.8145
参考库存:39969
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
100:¥171.5114
250:¥170.8108
500:¥170.4266
参考库存:39974
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:39979
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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