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射频晶体管
MRF1535FNT1参考图片

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MRF1535FNT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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库存:39,684(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥145.996
72998
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-6
封装
Reel
配置
Single Quad Source
高度
2.69 mm
长度
23.72 mm
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.45 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
零件号别名
935310275528
单位重量
1.279 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:6267
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
1:¥2.147
10:¥1.3673
100:¥0.62263
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:23299
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:40190
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
100:¥56.3192
300:¥52.6354
500:¥49.1776
1,000:¥45.9458
参考库存:6556
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,633.1486
2:¥2,560.3088
5:¥2,501.6844
10:¥2,428.6073
参考库存:6098
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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