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射频晶体管
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VRF2944

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥987.2358
987.2358
2
¥967.8789
1935.7578
5
¥935.6061
4678.0305
10
¥918.7804
9187.804
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
50 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
400 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
10 mS
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LET9045C
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:37775
HFA3135IHZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
3,000:¥34.1147
参考库存:37780
MRF1K50NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N/FM4F///REEL 13
1:¥1,320.1112
5:¥1,290.686
10:¥1,264.3231
25:¥1,245.6555
50:¥1,200.399
参考库存:7256
CGH60008D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:4348
1014-6A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:37789

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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