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射频晶体管
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF886H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:18324
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:3741
MMRF1304GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥294.3763
5:¥279.4716
10:¥274.6239
25:¥248.9616
500:¥212.3835
参考库存:37467
MRF275L
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:37472
MMRF5300NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
1:¥1,807.8192
5:¥1,767.4782
10:¥1,731.3634
25:¥1,705.7689
50:¥1,643.8336
参考库存:37477

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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