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射频晶体管
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D1005UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
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数量单价合计
1
¥751.9585
751.9585
10
¥661.2082
6612.082
25
¥587.7469
14693.6725
50
¥527.2015
26360.075
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DM
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
146 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85004
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
参考库存:29003
AFV141KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:38144
BFS20W,115
Nexperia
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16085
MMRF1006HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:38151
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:38156

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    50万现货SKU

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