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射频晶体管
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BFU530WX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.07576
3227.28
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
输出功率
10 dBm
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067694115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NESG7030M04-EVDB-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd Dual Band
暂无价格
参考库存:35807
RFSA3043PCK-410
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 5MHz to 3000MHz PCBA with 5-piece sample bag
暂无价格
参考库存:35812
PH3134-75S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:35817
PD85006TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:35822
PD84006L-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:12273

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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