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射频晶体管
PD85035TR-E参考图片

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PD85035TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥220.915
220.915
5
¥218.6098
1093.049
10
¥203.7842
2037.842
25
¥194.7103
4867.7575
600
¥157.9853
94791.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DME201020R
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Composite Transistor 2.9x2.8mm Gull Wing
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.96841
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.84524
参考库存:35512
BF1105R,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
1:¥3.3787
10:¥2.9945
25:¥2.7007
100:¥2.3617
3,000:¥1.2882
参考库存:131658
BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:19625
MRF8S18210WGHSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
250:¥774.6263
参考库存:35521
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:35526

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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