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射频晶体管
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SD3932

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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1
¥1,246.729
1246.729
5
¥1,216.7614
6083.807
10
¥1,186.4887
11864.887
25
¥1,169.889
29247.225
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
26.8 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.84 mm
长度
34.16 mm
工作频率
250 MHz
系列
SD3932
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:16018
AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥283.4605
参考库存:39069
CGH40006P
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥346.7744
参考库存:5570
PH1214-80M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:39076
UF2840P
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥597.0468
5:¥546.8748
参考库存:39081

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    50万现货SKU

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