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射频晶体管
BFG35,115参考图片

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BFG35,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
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库存:30,166(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
工作频率
4000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
4000 MHz
最大直流电集电极电流
0.15 A
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
933919910115
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
150:¥1,174.2734
参考库存:39233
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:53669
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:39240
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
暂无价格
参考库存:39245
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:39250
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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