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分立半导体
QPD1022SR参考图片

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QPD1022SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
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库存:47,356(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥206.2363
20623.63
200
¥191.7949
38358.98
500
¥178.3479
89173.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
610 mA
输出功率
10 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
工作频率
DC to 12 GHz
系列
QPD1022
商标
Qorvo
开发套件
QPD1022EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30476
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
250:¥34.4198
500:¥27.8884
1,000:¥26.0465
2,500:¥24.747
参考库存:30481
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:30486
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:30491
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:30496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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