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产品分类

分立半导体
SI7884BDP-T1-GE3参考图片

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SI7884BDP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
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库存:32,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
3,000
¥14.7578
44273.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SI7884BDP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
10,000:¥0.43844
20,000:查看
参考库存:48733
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:27210
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:14787
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE LOW LEAKAGE
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
参考库存:58234
分立半导体
SCR 400V .8A 200 SEN SCR SOT89 SO
1:¥5.537
10:¥4.0793
100:¥2.938
500:¥2.5651
1,000:¥1.921
参考库存:9316
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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