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分立半导体
SI2369DS-T1-GE3参考图片

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SI2369DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存：331,362(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5368
768.4
3,000
¥1.08367
3251.01
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMP5501Y,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
24,000:¥0.70738
45,000:¥0.67574
99,000:¥0.65314
参考库存:51224
VS-85HFLR10S02M
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥167.9745
300:¥154.1433
500:¥146.6853
参考库存:51229
1N5357AE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:51234
1N3016B-1E3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥64.5456
111:¥64.5456
200:¥59.325
500:¥54.0931
1,000:¥47.0984
参考库存:51239
VBT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A,80V,TRENCH SKY RECT.
3,000:¥5.7743
5,000:¥5.5596
10,000:¥5.3449
参考库存:51244

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    50万现货SKU

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