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分立半导体
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FGP5N60LS

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库存:6,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.605
96.05
100
¥7.3902
739.02
500
¥6.5314
3265.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
FGP5N60LS
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥90.1288
10:¥81.1453
25:¥73.9246
100:¥66.6926
参考库存:3819
分立半导体
整流器 400V 12A Fast Recovery
1:¥85.0664
10:¥77.3033
25:¥71.5403
50:¥67.6983
参考库存:4661
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF Transistor
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:101743
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥76.84
10:¥69.2351
25:¥63.0879
100:¥56.9407
参考库存:4100
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:18442
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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