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分立半导体
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IKD06N60RF

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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
1,000
¥5.1076
5107.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RFATMA1 IKD6N6RFXT SP000939364
单位重量
333 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2115MFV,L3F
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:35032
NVMFD5C478NWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥7.0738
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,500:¥2.8928
9,000:查看
参考库存:55741
S8X8ESAP
Littelfuse
分立半导体
SCR Sen SCR 800V .8A 200uA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
2,000:¥1.5255
10,000:查看
参考库存:35039
LL25XB60-7000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器
250:¥46.4882
500:¥45.2565
1,000:¥44.1039
参考库存:35044
FS450R12KE3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 450A 3-PHASE
1:¥4,329.8549
参考库存:3303

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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