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分立半导体
FP15R06W1E3参考图片

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FP15R06W1E3

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库存:1,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥239.3566
239.3566
5
¥236.8932
1184.466
10
¥220.7568
2207.568
25
¥210.8467
5271.1675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
22 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
81 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥1.04525
20,000:¥0.9831
50,000:¥0.9605
参考库存:50885
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,60V,TRENCH SKY RECT.
3,200:¥4.5313
5,600:¥4.3053
10,400:¥4.1471
参考库存:50890
分立半导体
整流器 1A,400V,MINI-PLASTIC RECT.
20,000:¥0.76049
26,000:¥0.69947
参考库存:50895
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 69.2V
250:¥101.5079
500:¥90.3661
1,000:¥87.1343
参考库存:50900
分立半导体
MOSFET
1:¥33.5836
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:10290
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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