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分立半导体
IKP20N60TA参考图片

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IKP20N60TA

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库存:47,445(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥15.142
7571
1,000
¥12.7577
12757.7
2,500
¥12.1362
30340.5
5,000
¥11.6842
58421
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP20N60TAHKSA1 IKP2N6TAXK SP000597870
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Band S Bridge Quad
100:¥9.4468
300:¥8.2942
500:¥7.7631
1,000:¥6.3958
参考库存:40820
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥17.3681
10:¥15.9104
25:¥13.221
100:¥12.0684
250:¥11.1418
2,000:¥11.1418
参考库存:40825
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
1:¥160.9798
10:¥147.9961
25:¥141.4647
100:¥125.0232
500:¥107.9602
参考库存:40830
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier KBP
1:¥6.5314
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:40835
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.7632
10:¥8.1473
25:¥6.7574
100:¥6.1472
2,000:¥3.9663
参考库存:40840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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