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分立半导体
TK90S06N1L,LQ参考图片

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TK90S06N1L,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
2,000
¥6.7461
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK90S06N1L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2W01G-E4/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 2.0 Amp 100 Volt
1:¥5.2206
10:¥4.2375
100:¥3.2205
500:¥2.6555
参考库存:17545
PBHV8115Z,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV BISS TAPE-7
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:13047
ZXMP6A17N8TC
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:11819
ZXMS6006SGTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
参考库存:17161
DMN2300U-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:102553

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