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分立半导体
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG264120R
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥5.6839
10:¥4.3957
100:¥3.8533
500:¥3.4465
3,000:¥1.8645
9,000:查看
参考库存:37378
TISP61089BDR-S
Bourns
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥11.30
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1246
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:80865
TPH5R906NH,L1Q
Toshiba
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.7913
5,000:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:22562
S4055NRP
Littelfuse
分立半导体
SCR 55A 400V
1:¥30.6569
10:¥24.6679
100:¥22.5096
250:¥20.2835
500:¥17.8314
参考库存:12489
2N4117A
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥98.7394
10:¥83.0663
100:¥76.4558
250:¥69.6984
参考库存:5001

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    50万现货SKU

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