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分立半导体
NPT1012B参考图片

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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:31770
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:13792
分立半导体
整流器 1.5 Amp 600 Volt
1:¥2.0001
10:¥1.6385
100:¥0.69947
500:¥0.5763
5,500:¥0.29154
11,000:查看
参考库存:128494
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.4068
1,000:¥0.27685
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:43411
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:19438
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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