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分立半导体
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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KDZTR36B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER (SOD-123) 36V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.2769
参考库存:15738
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.921
3,000:¥1.921
参考库存:46305
BAS21J,115
Nexperia
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SNGL SWITCHING DIODE
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:264357
1SS400TE61
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 90V 100MA
3,000:¥0.37629
9,000:¥0.32318
24,000:¥0.31527
参考库存:44732
FDMC86244
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:16009

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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