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分立半导体
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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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1
¥1,078.6754
1078.6754
2
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5
¥1,024.8196
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10
¥994.9198
9949.198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BYW56-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:325807
BYT79-600,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 15A
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:11894
BSZ130N03LS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:5676
BYR29X-800PQ
WeEn Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 BYR29X-800P/TO-220F/STANDARD M
1:¥6.6105
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:24403
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:63970

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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