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分立半导体
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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1A,400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
5,000:¥1.1865
参考库存:48683
S1K E2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 800V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
15,000:¥0.49155
22,500:¥0.43844
45,000:¥0.39211
97,500:¥0.36838
参考库存:48688
DBL157G C1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:48693
BZD27C47P RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 47V, ZENER
10,000:¥0.86784
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.72998
参考库存:48698
TS20P04GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 20A, 400V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥6.0681
2,400:¥5.2771
4,800:¥5.085
9,600:¥4.8816
参考库存:48703

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    50万现货SKU

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