QH08TZ600原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：10,079(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Power Integrations
产品种类	二极管 - 通用，功率，开关
RoHS	是
产品	Power Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-2
If - 正向电流	8 A
配置	Single
Vf - 正向电压	2.6 V
Ir - 反向电流	250 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	QH
封装	Tube
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
端接类型	Through Hole
商标	Power Integrations
Pd-功率耗散	44.6 W
产品类型	Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
商标名	Qspeed
单位重量	6 g

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSC16DN25NS3 G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥12.8368 10:¥10.9158 100:¥8.6784 500:¥7.6388 5,000:¥5.6839 10,000:查看	参考库存:16788
2N7002-T1-E3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V 0.115A 0.2W	1:¥4.3844 10:¥2.4634 100:¥1.3221 500:¥1.05994 3,000:¥0.68365 6,000:查看	参考库存:2069050
SSM3K7002KFU,LF	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V	1:¥1.7628 10:¥1.5368 100:¥0.53788 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.30736 9,000:¥0.23052	参考库存:39662
PD84008L-E	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	1:¥73.3031 10:¥66.3084 25:¥63.2348 100:¥54.8615 3,000:¥40.115	参考库存:16464
IPT015N10N5ATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8	1:¥52.3303 10:¥47.2566 25:¥45.1096 100:¥39.1093 2,000:¥28.589	参考库存:105031