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分立半导体
NGTB15N120IHWG参考图片

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NGTB15N120IHWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
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库存:3,603(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
278 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3140
分立半导体
达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power PNP
1:¥7.5258
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
参考库存:8062
分立半导体
双向可控硅 Altnstr 800V 12A
1:¥23.1311
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:5599
分立半导体
整流器 1200 Volt 85 Amp
1:¥142.6964
10:¥129.7014
20:¥119.9495
50:¥113.4972
参考库存:3261
分立半导体
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09158
500:¥0.91417
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:234123
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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