您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
PD20010-E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥139.5437
139.5437
10
¥128.3228
1283.228
25
¥123.0231
3075.5775
100
¥108.3444
10834.44
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
2 GHz
系列
PD20010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3.0 Amp 100V 150ns
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
850:¥1.243
参考库存:20418
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:19130
分立半导体
整流器 1.5 Amp 1000 Volt
1:¥2.0001
10:¥1.6385
100:¥0.69947
500:¥0.5763
5,500:¥0.29154
11,000:查看
参考库存:118502
分立半导体
肖特基二极管与整流器 RF DIODES
1:¥2.9945
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.79891
9,000:¥0.7458
参考库存:27464
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr
1:¥1.695
10:¥1.1526
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:79241
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们