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分立半导体
BSC060P03NS3E G参考图片

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BSC060P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存:16,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
1,000
¥3.8081
3808.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
34 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
139 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 nS
零件号别名
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC6P3NS3EGXT SP000472984
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Dual rugged ultra fast rectifier diode
1:¥5.3788
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:20588
分立半导体
变容二极管 Ls=1.5nH SOD-323 Single
1:¥7.0738
10:¥6.3506
25:¥5.4805
100:¥4.9494
3,000:¥2.9154
6,000:查看
参考库存:15280
分立半导体
MOSFET 100V P-CH MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,500:¥2.0001
参考库存:101207
分立半导体
桥式整流器 1.5A Bridge
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
5,000:¥1.3786
参考库存:35604
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.7A 30V
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:61481
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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