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分立半导体
IRFHM830TRPBF参考图片

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IRFHM830TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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库存:18,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2884
52.884
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7233
2723.3
4,000
¥2.7233
10893.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566782
单位重量
66 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1W,6V8,5%,ZENER
20,000:¥0.31527
45,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:35144
分立半导体
整流器 1A, 1000V Surface Mount Standard 整流器
20,000:¥0.36838
50,000:¥0.32996
100,000:¥0.30736
参考库存:35149
分立半导体
稳压二极管 5.6V 1.5W 5% Zener Single Diode
2,400:¥2.7459
3,200:¥2.3165
10,400:¥2.2261
25,600:¥2.147
参考库存:35154
分立半导体
整流器 400V 300A Si Super Fast Recovery
18:¥864.45
36:¥824.109
54:¥807.1251
108:¥778.0841
参考库存:35159
分立半导体
桥式整流器 600 V - 15 A
1,000:¥15.9104
2,500:¥15.142
5,000:¥14.2154
参考库存:35164
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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