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分立半导体

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STGWA25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥58.8617
58.8617
10
¥53.1778
531.778
25
¥50.7144
1267.86
100
¥44.0248
4402.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.100 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2907AL
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥446.0562
100:¥439.909
参考库存:37145
1N3519A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:37150
FESB16DT/31
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 200 Volt 16 Amp 35ns Single
800:¥10.9158
2,400:¥10.1474
4,800:¥9.7632
9,600:¥9.379
参考库存:37155
MP1510W
Rectron
分立半导体
桥式整流器 15A 1000V LP
250:¥13.673
400:¥10.2943
600:¥9.0626
参考库存:37160
UPA2600T1R-E2-AX
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET MOSFET
暂无价格
参考库存:37165

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    50万现货SKU

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