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分立半导体
TK31N60W,S1VF参考图片

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TK31N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
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库存:3,614(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥65.088
650.88
25
¥58.6244
1465.61
100
¥48.1041
4810.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK31N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:85009
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:191771
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V NPN
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:160908
分立半导体
整流器 Efficient Fast Rectifier 200V 3A
1:¥5.3788
10:¥4.0115
100:¥2.7233
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:18825
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-11
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:48607
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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