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分立半导体
AUIRF1405参考图片

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AUIRF1405

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms
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库存:7,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.3516
26.3516
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
169 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP001519124
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 200mW 5.6V Dual AEC-Q101 Qualified
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:14524
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:53121
分立半导体
MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
1:¥3.2996
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
4,000:¥0.46104
参考库存:20828
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:2810
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 39volt 5%
1:¥4.068
10:¥2.3391
100:¥1.3673
500:¥1.11418
3,000:¥0.7458
6,000:查看
参考库存:18242
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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