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分立半导体
SI7900AEDN-T1-GE3参考图片

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SI7900AEDN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.2433
724.33
500
¥5.6161
2808.05
3,000
¥4.0228
12068.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
0.85 ns
零件号别名
SI7900AEDN-GE3
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSF20U100C C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 20amp 100v
2,000:¥4.4296
4,000:¥4.2262
参考库存:44731
SF1604PT C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 16A, 200V, 35NS, , DUAL RECTIFIER
900:¥6.1359
参考库存:44736
DBL158GHC1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:44741
HERA805G C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 8.0 Amp 400 Volt 150 Amp IFSM
2,000:¥4.1923
参考库存:44746
DBL156GHC1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
5,000:¥1.4238
参考库存:44751

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