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分立半导体
IKW60N60H3FKSA1参考图片

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IKW60N60H3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:4,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3 IKW6N6H3XK SP000919762
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46221
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V VR 1A 0.53V VF PMDTM; SOD-128
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:19623
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥52.5563
10:¥47.4826
25:¥45.3356
100:¥39.3466
参考库存:3240
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 2A 0.55V VF PMDTM; SOD-128
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
参考库存:12097
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.3789
10:¥6.0342
100:¥4.633
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:30549
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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