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分立半导体
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FQI7N60TU

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库存：8,885(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥9.9892
4994.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI7N60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQI7N60TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES3D R7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥2.4408
250:¥2.1131
850:¥1.3447
1,700:查看
参考库存:28912
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,6A,100V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥3.4578
100:¥2.3843
500:¥1.6498
5,000:¥1.09836
10,000:查看
参考库存:28917
HS3FB R5G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥2.9945
100:¥2.0453
500:¥1.1413
850:¥1.02152
参考库存:28922
2A07GHR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A,1000V,STD.GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2826
1,000:¥0.76049
3,500:¥0.63054
参考库存:28927
HS3JBHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.0736
100:¥2.0905
500:¥1.1639
850:¥1.04525
参考库存:28932

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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