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分立半导体
STGW60V60F参考图片

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STGW60V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存:7,276(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SupreMOS 11A
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5693
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 12A TO-220FM
1:¥40.0359
10:¥34.0356
100:¥29.5043
250:¥27.9675
参考库存:4650
分立半导体
整流器 1.0 Amp 100V 50ns
1:¥5.1528
10:¥3.9324
100:¥2.9154
500:¥2.3956
1,500:¥1.695
4,500:查看
参考库存:31122
分立半导体
肖特基二极管与整流器 4A,100V,TMBS SKY RECT.
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
参考库存:34134
分立半导体
整流器 Vr/100V Io/1A Trim Leads
1:¥3.616
10:¥2.1018
100:¥1.2317
500:¥0.99892
3,000:¥0.66896
6,000:查看
参考库存:93476
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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