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分立半导体
SSM3J130TU,LF参考图片

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SSM3J130TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
25.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
系列
SSM3J130
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
133 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:25284
ZVN3310FTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 100 V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:13616
RB751S40T1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 200mW Single
1:¥1.695
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:367113
BSC0906NS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥2.0001
参考库存:54695
BD437TG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 36W NPN
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:92207

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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