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分立半导体
SIRA12DP-T1-GE3参考图片

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SIRA12DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.729
1864.5
3,000
¥3.729
11187
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIRA12DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C4V3P-M3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
50,000:¥0.99101
参考库存:48113
VS-40HFR60M
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥117.7912
300:¥107.4178
500:¥100.5022
1,000:¥92.208
参考库存:48118
VFT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,80V,Trench
2,000:¥3.8646
参考库存:48123
1N5355E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,250:¥5.7969
2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:48128
TK6P65W,RQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:48133

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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