APT100GT120JRDQ4原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZRA5954B-G	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1.5W, VR=121.6V	1:¥3.9211 10:¥2.5877 100:¥1.582 1,000:¥1.05316 5,000:¥0.90626	参考库存:47418
CDBER0230R	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 DFN 200mA 30V Sm. Sgnl. Schottky	1:¥1.921 10:¥1.2769 100:¥0.5763 1,000:¥0.36838 4,000:¥0.27685	参考库存:47423
CDBA260LR-HF	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 VR=60V, IO=2A	1:¥3.616 10:¥2.373 100:¥1.4577 1,000:¥0.96841 5,000:¥0.83733	参考库存:47428
GBJ6J	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器	1:¥11.6051 10:¥10.2152 25:¥9.2999 100:¥8.1473	参考库存:47433
HS3DB	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3A,200V,GLASS Pass HIGH Eff SMD Rect	3,000:¥1.00683 6,000:¥1.00683	参考库存:47438