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分立半导体
IRF5801TRPBF参考图片

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IRF5801TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4012
1401.2
3,000
¥1.1978
3593.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
3.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
0.44 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.8 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
零件号别名
SP001570104
单位重量
20 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG204A00R
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥2.034
9,000:¥1.9549
24,000:¥1.8871
45,000:¥1.8306
参考库存:31574
2N1483
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥299.902
250:¥274.0928
参考库存:31579
1N4114URE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
237:¥33.1994
250:¥29.9676
500:¥26.894
1,000:¥22.6678
参考库存:31584
DRA2124X0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:31589
SML4760A/61
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-SML4760A-E3
1:¥3.4578
10:¥2.3504
100:¥1.5933
500:¥1.2769
1,800:¥0.87575
3,600:查看
参考库存:31594

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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