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分立半导体

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FF150R12ME3G

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库存:2,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥772.7844
772.7844
5
¥758.6368
3793.184
10
¥724.443
7244.43
25
¥700.3175
17507.9375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
695 W
封装 / 箱体
EconoDUAL-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12ME3GBOSA1 SP000317332
单位重量
345 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.5144
100:¥4.2375
500:¥3.7403
2,500:¥2.6216
10,000:查看
参考库存:33103
分立半导体
稳压二极管 28.35V 200mW SC-113BB
1:¥3.3787
10:¥1.6159
100:¥1.11418
500:¥0.91417
3,000:¥0.5763
9,000:查看
参考库存:33108
分立半导体
肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥13.9894
10:¥11.6842
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5314
参考库存:1467
分立半导体
整流器 600 Volt 140 Amp
1:¥406.6418
5:¥399.1838
10:¥382.7423
25:¥370.753
参考库存:1754
分立半导体
桥式整流器 100V 10A BRIDGE
400:¥25.6623
800:¥20.7468
1,200:¥19.3682
2,800:¥18.4416
参考库存:33117
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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