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分立半导体
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FDA16N50-F109

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数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
16.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
205 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA16N50_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FDA16N50_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT15DQ100BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.6732
100:¥14.1363
250:¥13.3679
参考库存:4180
APT51M50J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
1:¥213.5361
5:¥203.9311
10:¥197.5579
25:¥181.5684
参考库存:2272
STGWT28IH125DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2829
VS-40HFLR60S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 40 Amp
1:¥102.3554
10:¥92.9764
20:¥86.0608
50:¥81.3713
参考库存:2351
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 800 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥311.5071
5:¥303.292
10:¥291.5287
参考库存:2253

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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