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分立半导体
IRF9510PBF参考图片

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IRF9510PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.9664
59.664
100
¥5.2206
522.06
500
¥4.0454
2022.7
1,000
¥3.1979
3197.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRF
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ETT580N16P60HPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块
1:¥1,500.527
5:¥1,464.4122
10:¥1,428.0714
25:¥1,408.0139
参考库存:4702
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:19574
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
5,000:¥2.0114
参考库存:28261
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥4.8364
参考库存:54133
STW11NM80
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:7675

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    4小时快速发货

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