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分立半导体
CSD19501KCS参考图片

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CSD19501KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:6,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
217 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19501KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
137 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:43830
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:43835
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:43840
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:43845
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:43850
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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