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分立半导体
CSD85302LT参考图片

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CSD85302LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
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库存:1,022(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
680 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.22 mm
长度
1.35 mm
系列
CSD85302L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
99 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
173 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:53531
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.7685
10:¥1.7967
100:¥0.88366
500:¥0.75258
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:36375
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥1.11418
参考库存:36380
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:36385
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.3W 5% CA AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:36390
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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