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分立半导体
TK8A65D(STA4,Q,M)参考图片

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TK8A65D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
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数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥14.9047
149.047
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.4525
5226.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
840 mOhms
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK8A65D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMF3929-000
Skyworks Solutions, Inc.
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Band S Bridge Quad
100:¥9.4468
300:¥8.2942
500:¥7.7631
1,000:¥6.3958
参考库存:40820
VN2224N3-G P013
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥17.3681
10:¥15.9104
25:¥13.221
100:¥12.0684
250:¥11.1418
2,000:¥11.1418
参考库存:40825
AFT09MP055GNR1
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
1:¥160.9798
10:¥147.9961
25:¥141.4647
100:¥125.0232
500:¥107.9602
参考库存:40830
KBP406G
Diodes Incorporated
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier KBP
1:¥6.5314
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:40835
TN0604N3-G P014
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.7632
10:¥8.1473
25:¥6.7574
100:¥6.1472
2,000:¥3.9663
参考库存:40840

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    50万现货SKU

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