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分立半导体
CSD18511KTT参考图片

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CSD18511KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET GEN1.4 40V-20V
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库存:6,846(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
1,000
¥5.989
5989
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
194 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CSD18511KTT
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
249 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 100
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6105
800:¥5.2206
参考库存:20181
分立半导体
MOSFET 200V N-Channel MOSFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:16198
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:6245
分立半导体
MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:30852
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
500:¥17.289
参考库存:12234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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