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分立半导体
STB36N60M6参考图片

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STB36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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库存：6,642(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STB36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZMMSZ5233BT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 6.0V
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:73881
BZX585-C11,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:28718
STSA1805-AP
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER MOSFET
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:2040
PMEG2010AEB,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
参考库存:79552
2W02G-E4/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 2.0 Amp 200 Volt
1:¥5.2206
10:¥4.2375
100:¥3.2205
500:¥2.6555
参考库存:25879

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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