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分立半导体
IKQ120N60TAXKSA1参考图片

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IKQ120N60TAXKSA1

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库存:3,563(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥105.1126
105.1126
10
¥96.6602
966.602
25
¥92.6713
2316.7825
100
¥81.6764
8167.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKQ120N60TA SP001138286
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:38508
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 0.8 Watt 5%
50,000:¥0.89157
参考库存:38513
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,272.6964
参考库存:38518
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥55.0197
10:¥49.2567
100:¥40.6461
250:¥36.273
500:¥33.2672
参考库存:13496
分立半导体
整流器 A MASS
10:¥3,354.5293
参考库存:38525
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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