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分立半导体
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BSM100GB120DLCK

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数量单价合计
1
¥761.0211
761.0211
5
¥747.043
3735.215
10
¥713.3803
7133.803
25
¥689.639
17240.975
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
835 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCKHOSA1 SP000095924
单位重量
160 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL5544B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
146:¥48.7143
250:¥44.4881
500:¥40.567
1,000:¥34.352
2,500:¥32.4988
参考库存:37500
GC2521-17
Microsemi
分立半导体
变容二极管
20:¥347.701
25:¥321.4963
50:¥311.5071
100:¥301.4388
参考库存:37505
1N821-1E3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Ref Diodes 5.89-6.51 V 15 Ohms
暂无价格
参考库存:37510
JANTXV2N2222AL/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥120.8648
10:¥109.8812
25:¥101.6548
50:¥96.2082
参考库存:37515
JAN2N2221AL
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥90.2079
250:¥82.2188
500:¥76.9191
1,000:¥70.5346
参考库存:37520

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    50万现货SKU

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