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分立半导体
RSU002P03T106参考图片

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RSU002P03T106

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 30V 200MA SOT-323
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库存:20,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RSU002P03
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.2 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
RSU002P03
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60A exposed top Intg PowIRstage
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
3,000:¥33.8096
参考库存:42630
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3922
分立半导体
整流器 1.0 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:149534
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:18551
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 3A
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6498
参考库存:199008
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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