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分立半导体
STGWA25S120DF3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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STGWA25S120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
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库存:2,819(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25S120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
5.420 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥1,208.0039
2:¥1,178.9516
5:¥1,166.3521
10:¥1,149.6846
参考库存:4060
分立半导体
稳压二极管 7.5V 5W
1:¥3.3787
10:¥2.6216
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
4,000:¥0.92208
8,000:¥0.86106
参考库存:90092
分立半导体
MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
2,000:¥4.0906
参考库存:47419
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
1,500:¥1.8758
9,000:¥1.808
参考库存:43501
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
500:¥13.221
5,000:¥13.221
参考库存:26778
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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