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分立半导体
GS66502B-E01-MR参考图片

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GS66502B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor
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库存：8,812(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.8454
71.8454
10
¥69.5402
695.402
25
¥66.3084
1657.71
250
¥61.472
15368
1,000
¥59.777
59777
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
6.6 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66502B-E01-MR
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S6X8ES1AP
Littelfuse
分立半导体
SCR Sen SCR 600V .8A 5uA
1:¥4.3844
10:¥3.2205
100:¥2.3165
500:¥2.034
2,000:¥1.2995
10,000:查看
参考库存:44223
BZW03C82-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 20W 6%
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥5.989
2,500:¥4.407
5,000:查看
参考库存:44228
VS-MURB820TRR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200V 8A IF (TO-263AB) 100A IFSM
1:¥6.6896
10:¥5.5596
100:¥4.2714
500:¥3.6725
800:¥2.8928
参考库存:44233
BZT03C27-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:128995
AUIRFR120ZTRL
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms
暂无价格
参考库存:44240

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    50万现货SKU

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