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分立半导体
STGWT80V60DF参考图片

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STGWT80V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
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库存:5,082(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.7772
63.7772
10
¥57.63
576.3
25
¥54.9406
1373.515
100
¥47.7199
4771.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80V60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:121683
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:8885
分立半导体
SCR 600V .8A 12uA Sensing
1:¥7.684
10:¥5.9099
100:¥4.4748
500:¥3.8081
1,000:¥3.051
参考库存:14442
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 H-Series 600V 3A Super-Low Qrr
1:¥12.4526
10:¥11.0627
25:¥9.9892
100:¥8.7575
参考库存:10479
分立半导体
MOSFET 100V 1.5Ohm
1:¥7.458
10:¥7.4128
25:¥6.1698
100:¥5.6161
参考库存:9926
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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